В реальном кристалле полупроводника имеются примесные атомы или дефекты кристаллической структуры, при рекомбинации с участием которых не происходит излучения фотонов. Предполагается, что такой центр создает квазинепрерывный спектр энергетических уровней в запрещенной зоне, соответствующих возбужденным состояниям [3]. Энергия электронно-дырочной пары при рекомбинации на центре переходит в энергии последовательно испускаемых фононов, т.е. расходуется на нагрев кристалла (механизм безызлучательной фононной рекомбинации – процесс а на рис. 3.5).

Еще одним механизмом безызлучательной рекомбинации является оже-рекомбинация (процесс б на рис. 3.5). При оже-процессе энергия, высвобождаемая рекомбинирующей электронно-дырочной парой, немедленно поглощается третьим свободным носителем заряда, например электроном, который затем рассеивает эту энергию путем испускания фононов.

 

Рис.3.5. Механизмы безызлучательной рекомбинации