| Примесь |
Тип |
Энергия ионизации, эВ |
|
|
Ec-Ed |
Ea-Ev |
| Ge |
| P |
Д |
0,012 |
|
| As |
Д |
0,013 |
|
| Sb |
Д |
0,010 |
|
| B |
А |
|
0,01 |
| Al |
А |
|
0,01 |
| Ga |
А |
|
0,011 |
| In |
А |
|
0,011 |
| Si |
| P |
Д |
0,044 |
|
| As |
Д |
0,049 |
|
| Sb |
Д |
0,039 |
|
| B |
А |
|
0,045 |
| Al |
А |
|
0,057 |
| Ga |
А |
|
0,065 |
| In |
А |
|
0,16 |
| GaAs |
| S |
Д |
0,006 |
|
| Se |
Д |
0,006 |
|
| Te |
Д |
0,03 |
|
| Sn |
Д |
0,006 |
|
| Si |
Д |
0,0058 |
|
| " |
А |
|
0.03 |
| Zn |
А |
|
0,03 |
| Cd |
А |
|
0,03 |
| Fe |
А |
|
0,52 |
| Cr |
А |
|
0,76 |
|
|
|
|
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 к.: Пер. с англ. – 2-е изд. – М.: Мир, 1984. – Кн. 2. 456 с.
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: Пер. с англ. – М.: Мир, 1977. – 564 с.