Полупро- водник	a(300 K), нм	$\frac{m_{n\Gamma }^{\ast }}{m_0}$	$\frac{m_{dL}^{\ast }}{m_0}$	$\frac{m_{dX}^{\ast }}{m_0}$	$\frac{m_{pd}^{\ast }}{m_0}$	es	Ec - ELNL эВ	FB, эВ
Ge	0,56575	-	0,56	-	0,35	16	0,57	0,48÷0,59
Si	0,54310	-	-	1.08	0,56	11,9	0,71	0,72÷0,80
AlP	0,5451	-	-	-	0,70	-	1,35	-
AlAs	0,56611	0,15	0,66	0,71	0,80	10,1	1,34	1,21
AlSb	0,61355	0,12	-	1,34	0,48	10.2	1,20	1,07
GaP	0,54512	-	-	1,25	0,62	11,1	1,40	1,09÷1,32
GaAs	0,56533	0,067	0,56	0,85	0,64	13,2	0,91	0,80÷0,90
GaSb	0,60959	0,042	0,7	-	0,40	14.4	0,67	0,62÷0,65
InP	0,58687	0,077	-	-	0,87	12,4	0,63	0,37÷0,59
InAs	0,60584	0,023	-	-	0,40	14,6	-0,19	-0,11
InSb	0,64794	0,0145	-	-	0,4	17,7	0,14	0

1. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах: В 2 т.: Пер. с англ. – М.: Мир, 1981. – Т. 1. – 229 с., Т. 2. – 364 с.
2. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник: Пер. с англ. – М.: Мир, 1975. – 432 с.
3. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. – М.: Сов. радио, 1979. – 232 с.
4. Adachi S. GaAs, AlAs, and Al_xGa_1-xAs: Material parameters for use in research and device applications// J. Appl. Phys. – 1985. – V. 58, № 3. – P.R1–R29.
5. Adachi S. Material parameters of In_1-xGa_xAs_yP_1-y quaternaries // J. Appl. Phys. – 1982. – V. 53, № 12. – P. 8775–8792.
6. Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III–V: границы раздела, радиационные эффекты // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, № 3. – С. 315–318.