Полупро- водник	Структура зон	$E_{g\Gamma }(300K)$ , эВ	$E_{gL}(300K)$, эВ	$E_{gX}(300K)$ , эВ	Температурная зависимость ширины запрещенной зоны $E_g(T),\text{эВ}$	${\chi }^0$ , эВ
Ge	непрямая	0,802	0,665	0,845	$\mathrm{0,7437}-\mathrm{4,774}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+235)$	4,13
Si	непрямая	-	-	1,12	$\mathrm{1,170}-\mathrm{4,73}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+636)$	4,05
AlP	непрямая	-	-	2,45	$\mathrm{2,52}-\mathrm{3,18}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+588)$	-
AlAs	непрямая	3,018	2,35	2,168	$\mathrm{2,239}-\mathrm{6,0}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+408)$	-
AlSb	непрямая	2,219	1,879	1,620	$\mathrm{1,687}-\mathrm{4,97}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+213)$	3,65
GaP	непрямая	2,78	-	2,260	$\mathrm{2,338}-\mathrm{5,771}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+372)$	4,0
GaAs	прямая	1,424	1,708	1,900	$\mathrm{1,519}-\mathrm{5,405}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+204)$	4,05
GaSb	прямая	0,722	0,799	1,030	$\mathrm{0,810}-\mathrm{3,78}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+94)$	4,06
InP	прямая	1,351	-	2,20	$\mathrm{1,421}-\mathrm{3,63}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+162)$	4,4
InAs	прямая	0,360	-	1,83	$\mathrm{0,420}-\mathrm{2,50}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+75)$	4,54
InSb	прямая	0,172	-	-	$\mathrm{0,236}-\mathrm{2,99}\cdot {10}^{-4}\cdot T^2/(T+140)$	4,59

 

1. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах: В 2 т.: Пер. с англ. – М.: Мир, 1981. – Т. 1 – 229 с., Т. 2. – 364 с.
2. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник: Пер. с англ. – М.: Мир, 1975. – 432 с.
3. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. – М.: Сов. радио, 1979. – 232 с.
4. Adachi S. GaAs, AlAs, and Al_xGa_1-xAs: Material parameters for use in research and device applications // J. Appl. Phys. – 1985. – V. 58, № 3. – P.R1–R29.