Баллистическое движение носителей заряда – движение под действием электрического поля в областях, характерные размеры которых меньше длины свободного пробега носителей заряда.

БИС – большая интегральная схема.

Дельта-слой – в объемном полупроводнике сильно легированный узкий слой толщиной в один или несколько периодов решетки.

Квантовая нить – низкоразмерная структура, в которой движение носителей заряда является свободным только вдоль одной из осей, а вдоль других двух ограничено двумерной квантовой ямой.

Квантовая точка – низкоразмерная структура, в которых движение носителей заряда ограничено по всем трем координатам, т.е. носители заряда находятся в трехмерной потенциальной яме.

Квантовая яма (изолированная) – низкоразмерная структура, форма огибающей потенциальной энергии которой представляет собой одномерную «яму».

Кристаллиты – мелкие монокристаллы, не имеющие ясно выраженной огранки. Кристаллические зерна в металлических слитках, горных породах и т.п.

Коэффициент полезного действия лазера – отношение мощности излучения к потребляемой электрической мощности.

Коэффициент ударной ионизации электронов – число носителей, создаваемых электроном за счет ударной ионизации на единице пройденного им пути.

Коэффициент усиления лазера – величина, обратная расстоянию, пройденному излучением в активной области лазера, на котором его интенсивность увеличивается в e раз.

Кулоновская блокада – явление, связанное с отсутствием в некоторой области напряжений тока, протекающего через квантовую точку, отделенную от массивных внешних электродов туннельно-прозрачными барьерами.

Мелкие водородоподобные примеси – примесные атомы, однозарядные ионы которых взаимодействуют с носителем заряда по закону Кулона.

Низкоразмерные структуры – твердотельные объекты, линейные размеры которых в каком-либо из направлений (одном или нескольких) сравнимы с длиной волны де Бройля.

Оптический модулятор – прибор, с помощью которого изменяют интенсивность излучения.

Плотность порогового тока лазера – величина плотности тока, при которой усиление интенсивности излучения лазера равняется сумме всех потерь этого излучения за счет поглощения, рассеяния и частичного прохождения через зеркала резонатора.

Полуметаллы – твердые тела с нулевой запрещенной зоной между валентной зоной и зоной проводимости.

Поглощение межзонное (собственное) – поглощение света за счет оптических переходов электронов из состояний в валентной зоны в состояния зоны проводимости.

Резонансно-туннельный диод – многослойная полупроводниковая структура. Содержит двухбарьерную квантовую структуру с единственным резонансным уровнем в квантовой яме.

Сверхрешетка – искусственная твердотельная структура, состоящая из совокупности квантовых объектов – квантовых ям, нитей, точек, между которыми возможен перенос носителей заряда.

Сверхрешетка ковариантная (второго типа) – структура, в которой квантовые ямы для электронов и дырок находятся в различных слоях, носители заряда пространственно разделены.

Сверхрешетка композиционная – структура с периодически повторяющимися слоями различных полупроводников, т.е. слоями с различной шириной запрещенной зоны.

Сверхрешетка композиционная изопериодическая – композиционная сверхрешетка, в которой используются полупроводниковые материалы с одинаковыми или близкими постоянными кристаллической решетки.

Сверхрешетка композиционная политипная – композиционная сверхрешетка , период которой состоит из более чем двух различных полупроводниковых слоев.

Сверхрешетка композиционная с напряженными слоями – композиционная сверхрешетка, состоящая из полупроводниковых материалов с различными постоянными кристаллической решетки.

Сверхрешетка композиционно-легированная – композиционные сверхрешетка, в которой легированы слои одного из полупроводников или обоих (в этом случае тип проводимости слоев должен быть разным).

Сверхрешетка контравариантная (первого типа) – структура, в которой квантовые ямы для электронов и дырок находятся в одном и том же месте (слое), т.е. носители заряда в них пространственно не разделены.

Сверхрешетка периодическая легированная – структура, состоящая из периодически чередующихся слоев одного и того же полупроводника, легированных донорами и акцепторами.

Световой вектор – вектор напряженности электрического поля.

Транзистор одноэлектронный (Single-electron Transistor, SET) – транзистор, в основе концепции которого лежит возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами.

Транзистор HEMT (High Electron Mobility Transistor) – полевой транзистор с высокой подвижностью носителей заряда в канале за счет наличия в нем гетероперехода.

Ширина минизоны – интервал энергии между максимальным и минимальным значениями энергии в зоне.

Экситон Мотта – квазичастица, образованная связанными кулоновской силой электроном и дыркой, среднее расстояние между которыми много больше постоянной решетки.

Эквидистантные уровни – уровни, энергетический интервал между которыми одинаков.

Электрическое поле классическое – поле, влиянием которого на энергетический спектр и волновые функции носителей заряда можно пренебречь.

Электрическое поля квантовое – сильное поле, энергия взаимодействия с которым сравнима с энергией носителей заряда в самосогласованном кристаллическом поле, что приводит к изменению их энергетического спектра и волновых функций.

Эффект Холла квантовый – явление, связанное с равенством нулю диагональной компоненты холловской проводимости при определенных значениях индукции магнитного поля, при этом недиагональная компонента принимает значения, кратные фундаментальной постоянной.